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参数目录39870
> IXSA20N60B2D1 IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO263
型号:
IXSA20N60B2D1
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
IGBT HS W/DIODE 600V 35A TO263
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
IXSA20N60B2D1 PDF
标准包装
50
系列
-
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
600V
Vge, Ic时的最大Vce(开)
2.5V @ 15V,16A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
35A
功率 - 最大
190W
输入类型
标准
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
TO-263
包装
散装
查看IXSA20N60B2D1代理商
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